Результаты поиска: DGB25 в Flash Memory
Запрос на ценовое предложение (RFQ)  »

Выбeрите позицию, чтобы получить ценовое предложение по номеру детaли DGB25 или используйте раздел «Варианты поиска по номеру детали» внизу этой страницы.
Если Вы еще не партнер The Broker Forum, получите свой бесплатный доступ для установления связи с DGB25 продавцами.

Результаты 1-25 для DGB25 (из 111)
Расширенный поиск  

Flash Memory

Flash memory is an electronic non-volatile computer storage medium that can be electrically erased and reprogrammed. Introduced by Toshiba in 1984, flash memory was developed from EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory). There are two main types of flash memory, which are named after the NAND and NOR logic gates. The internal characteristics of the individual flash memory cells exhibit characteristics similar to those of the corresponding gates. Whereas EPROMs had to be completely erased before being rewritten, NAND type flash memory may be written and read in blocks (or pages) which are generally much smaller than the entire device. NOR type flash allows a single machine word (byte) to be written??to an erased location??or read independently. The NAND type is primarily used in main memory, memory cards, USB flash drives, solid-state drives, and similar products, for general storage and transfer of data. NAND or NOR flash memory is also often used to store configuration data in numerous digital products, a task previously made possible by EEPROM or battery-powered static RAM. One significant disadvantage of flash memory is the finite amount of read/write cycles in a specific block. Example applications of both types of flash memory include personal computers, PDAs, digital audio players, digital cameras, mobile phones, synthesizers, video games, scientific instrumentation, industrial robotics, medical electronics, and so on. In addition to being non-volatile, flash memory offers fast read access times, as fast as dynamic RAM, although not as fast as static RAM or ROM. Its mechanical shock resistance helps explain its popularity over hard disks in portable devices, as does its high durability, being able to withstand high pressure, temperature, immersion in water, etc.

Memory > ROM > Flash Memory

Наименование детали DS Производитель Дата выпуска Кол-во Регион Активный
W25Q128FVSIG PDF Winbond 2018+ 502 China Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond 2015+ 6415 China Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond 201715 130 Spain Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond 201551 15 U.S.A. Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond - 203 China Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond - 13132 China Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond 2017+ 5800 Hong Kong Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond - 1800 China Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond 2015+ 392 Germany Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond 2017+ 50 China Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond 2022+ 40000 China Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond 202104+ 10000 Hong Kong Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond - 6559 China Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond 201510 1841 United Kingdom Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond 201706+ 50 China Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond - 290 China Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond 2024+ 3000 China Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond 2020+ 150 China Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond 2015+ 2261 Hong Kong Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond 2021+ 10000 Singapore Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond 2017+ 12685 Hong Kong Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond - 10199 China Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond 2024+ 20000 Hong Kong Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond - 33638 Japan Связаться с продавцом
W25Q128FVSIG PDF Winbond 2024+ 600 South Korea Связаться с продавцом

Вариации номера комплектующего

Реклама