Результаты поиска: DGB25 в Flash Memory
Запрос на ценовое предложение (RFQ)  »

Выбeрите позицию, чтобы получить ценовое предложение по номеру детaли DGB25 или используйте раздел «Варианты поиска по номеру детали» внизу этой страницы.
Если Вы еще не партнер The Broker Forum, получите свой бесплатный доступ для установления связи с DGB25 продавцами.

Результаты 51-75 для DGB25 (из 110)
Расширенный поиск  

Flash Memory

Flash memory is an electronic non-volatile computer storage medium that can be electrically erased and reprogrammed. Introduced by Toshiba in 1984, flash memory was developed from EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory). There are two main types of flash memory, which are named after the NAND and NOR logic gates. The internal characteristics of the individual flash memory cells exhibit characteristics similar to those of the corresponding gates. Whereas EPROMs had to be completely erased before being rewritten, NAND type flash memory may be written and read in blocks (or pages) which are generally much smaller than the entire device. NOR type flash allows a single machine word (byte) to be written??to an erased location??or read independently. The NAND type is primarily used in main memory, memory cards, USB flash drives, solid-state drives, and similar products, for general storage and transfer of data. NAND or NOR flash memory is also often used to store configuration data in numerous digital products, a task previously made possible by EEPROM or battery-powered static RAM. One significant disadvantage of flash memory is the finite amount of read/write cycles in a specific block. Example applications of both types of flash memory include personal computers, PDAs, digital audio players, digital cameras, mobile phones, synthesizers, video games, scientific instrumentation, industrial robotics, medical electronics, and so on. In addition to being non-volatile, flash memory offers fast read access times, as fast as dynamic RAM, although not as fast as static RAM or ROM. Its mechanical shock resistance helps explain its popularity over hard disks in portable devices, as does its high durability, being able to withstand high pressure, temperature, immersion in water, etc.

Memory > ROM > Flash Memory

Наименование детали DS Производитель Дата выпуска Кол-во Регион Активный
W25Q32FVSSIG PDF Winbond - 20353 China Связаться с продавцом
W25Q32FVSSIG PDF Winbond 2016+ 12 China Связаться с продавцом
W25Q32FVSSIG PDF Winbond - 40 Taiwan Связаться с продавцом
W25Q32FVSSIG PDF Winbond - 535 China Связаться с продавцом
W25Q32FVSSIG PDF Winbond 201625 80 Germany Связаться с продавцом
W25Q32FVSSIG PDF Winbond 2016+ 4380 China Связаться с продавцом
W25Q32FVSSIG PDF Winbond 201823+ 58033 China Связаться с продавцом
W25Q32FVSSIG PDF Winbond 2017+ 223 South Korea Связаться с продавцом
W25Q32FVSSIG PDF Winbond 2014+ 14520 Japan Связаться с продавцом
W25Q32FVSSIG PDF Winbond 201609 52 Germany Связаться с продавцом
W25Q32FVSSIG PDF Winbond 2014+ 17521 Japan Связаться с продавцом
W25Q32FVSSIG PDF Winbond 201644+ 197 Hong Kong Связаться с продавцом
W25Q32FVSSIG PDF Winbond 201552 34 Spain Связаться с продавцом
W25Q32FVSSIG PDF Winbond - 549 China Связаться с продавцом
W25Q32FVSSIG PDF Winbond 2018+ 617 China Связаться с продавцом
W25Q32FVSSIG PDF Winbond 2016+ 2 Hong Kong Связаться с продавцом
W25Q80DVUXIE PDF Winbond 2018+ 9000 China Связаться с продавцом
W25Q80DVUXIE PDF Winbond 2021+ 20000 South Korea Связаться с продавцом
W25Q80DVUXIE PDF Winbond - 40 India Связаться с продавцом
W25Q80DVUXIE PDF Winbond 201537 100 U.S.A. Связаться с продавцом
W25Q80DVUXIE PDF Winbond 202402+ 20000 Hong Kong Связаться с продавцом
W25Q80DVUXIE PDF Winbond 2018+ 17744 Hong Kong Связаться с продавцом
W25Q80DVUXIE PDF Winbond 2021+ 20000 China Связаться с продавцом
W25Q80DVUXIE PDF Winbond 2021+ 20000 China Связаться с продавцом
W25Q80DVUXIE PDF Winbond 2024+ 11200 China Связаться с продавцом

Вариации номера комплектующего

Реклама