Результаты поиска: DGB25 в Flash Memory
Запрос на ценовое предложение (RFQ)  »

Выбeрите позицию, чтобы получить ценовое предложение по номеру детaли DGB25 или используйте раздел «Варианты поиска по номеру детали» внизу этой страницы.
Если Вы еще не партнер The Broker Forum, получите свой бесплатный доступ для установления связи с DGB25 продавцами.

Результаты 76-100 для DGB25 (из 110)
Расширенный поиск  

Flash Memory

Flash memory is an electronic non-volatile computer storage medium that can be electrically erased and reprogrammed. Introduced by Toshiba in 1984, flash memory was developed from EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory). There are two main types of flash memory, which are named after the NAND and NOR logic gates. The internal characteristics of the individual flash memory cells exhibit characteristics similar to those of the corresponding gates. Whereas EPROMs had to be completely erased before being rewritten, NAND type flash memory may be written and read in blocks (or pages) which are generally much smaller than the entire device. NOR type flash allows a single machine word (byte) to be written??to an erased location??or read independently. The NAND type is primarily used in main memory, memory cards, USB flash drives, solid-state drives, and similar products, for general storage and transfer of data. NAND or NOR flash memory is also often used to store configuration data in numerous digital products, a task previously made possible by EEPROM or battery-powered static RAM. One significant disadvantage of flash memory is the finite amount of read/write cycles in a specific block. Example applications of both types of flash memory include personal computers, PDAs, digital audio players, digital cameras, mobile phones, synthesizers, video games, scientific instrumentation, industrial robotics, medical electronics, and so on. In addition to being non-volatile, flash memory offers fast read access times, as fast as dynamic RAM, although not as fast as static RAM or ROM. Its mechanical shock resistance helps explain its popularity over hard disks in portable devices, as does its high durability, being able to withstand high pressure, temperature, immersion in water, etc.

Memory > ROM > Flash Memory

Наименование детали DS Производитель Дата выпуска Кол-во Регион Активный
W25Q80DVUXIE PDF Winbond - 93 China Связаться с продавцом
W25Q80DVUXIE PDF Winbond 2021+ 20000 U.S.A. Связаться с продавцом
W25Q80DVUXIE PDF Winbond - 535 China Связаться с продавцом
W25Q80DVUXIE PDF Winbond 2025+ 24000 China Связаться с продавцом
W25Q80DVUXIE PDF Winbond 2018+ 25000 Taiwan Связаться с продавцом
W25Q80DVUXIE PDF Winbond 2018+ 24200 Japan Связаться с продавцом
W25Q80DVUXIE PDF Winbond 2021+ 8000 South Korea Связаться с продавцом
W25Q80DVUXIE PDF Winbond - 5030 China Связаться с продавцом
W25Q80DVUXIE PDF Winbond 2021+ 30000 China Связаться с продавцом
W25Q80DVUXIE PDF Winbond - 6000 Hong Kong Связаться с продавцом
W25Q80DVUXIE PDF Winbond 201750 17270 Denmark Связаться с продавцом
W25Q80DVUXIE PDF Winbond 2021+ 8000 China Связаться с продавцом
W25X10CLSNIG PDF Winbond 2022+ 30000 China Связаться с продавцом
W25X10CLSNIG PDF Winbond 201430+ 585 China Связаться с продавцом
W25X10CLSNIG PDF Winbond 2021+ 7790 China Связаться с продавцом
W25X10CLSNIG PDF Winbond 2024+ 11200 China Связаться с продавцом
W25X10CLSNIG PDF Winbond 2023+ 20000 South Korea Связаться с продавцом
W25X10CLSNIG PDF Winbond 2023+ 20000 U.S.A. Связаться с продавцом
W25X10CLSNIG PDF Winbond 2024+ 10000 Hong Kong Связаться с продавцом
W25X10CLSNIG PDF Winbond - 550 China Связаться с продавцом
W25X10CLSNIG PDF Winbond 2025+ 24000 China Связаться с продавцом
W25X10CLSNIG PDF Winbond - 20261 China Связаться с продавцом
W25X10CLSNIG PDF Winbond 2021+ 58 China Связаться с продавцом
W25X10CLSNIG PDF Winbond 2013+ 2192 China Связаться с продавцом
W25X10CLSNIG PDF Winbond - 2925 Taiwan Связаться с продавцом

Вариации номера комплектующего

Реклама