Результаты поиска: W02 в MOSFET
Запрос на ценовое предложение (RFQ)  »

Выбeрите позицию, чтобы получить ценовое предложение по номеру детaли W02 или используйте раздел «Варианты поиска по номеру детали» внизу этой страницы.
Если Вы еще не партнер The Broker Forum, получите свой бесплатный доступ для установления связи с W02 продавцами.

Результаты 1-25 для W02 (из 39)
Расширенный поиск  

MOSFET

The metal"oxide"semiconductor field-effect transistor (MOSFET,MOS-FET,or MOS FET) is a type of transistor used for amplifying or switching electronic signals. Although the MOSFET is a four-terminal device with source (S),gate (G),drain (D),and body (B) terminals,the body (or substrate) of the MOSFET is often connected to the source terminal, making it a three-terminal device like other field-effect transistors. Because these two terminals are normally connected to each other (short-circuited) internally, only three terminals appear in electrical diagrams. The MOSFET is by far the most common transistor in both digital and analog circuits, though the bipolar junction transistor was at one time much more common. The main advantage of a MOSFET transistor over a regular transistor is that it requires very little current to turn on (less than 1mA), while delivering a much higher current to a load (10 to 50A or more). However, the MOSFET requires a higher gate voltage (3-4V) to turn on. In enhancement mode MOSFETs, a voltage drop across the oxide induces a conducting channel between the source and drain contacts via the field effect. The term "enhancement mode" refers to the increase of conductivity with increase in oxide field that adds carriers to the channel, also referred to as the inversion layer. The channel can contain electrons (called an nMOSFET or nMOS), or holes (called a pMOSFET or pMOS), opposite in type to the substrate, so nMOS is made with a p-type substrate, and pMOS with an n-type substrate (see article on semiconductor devices). In the less common depletion mode MOSFET, detailed later on, the channel consists of carriers in a surface impurity layer of opposite type to the substrate, and conductivity is decreased by application of a field that depletes carriers from this surface layer. The "metal" in the name MOSFET is now often a misnomer because the previously metal gate material is now often a layer of polysilicon (polycrystalline silicon).

Transistor > MOSFET

Наименование детали DS Производитель Дата выпуска Кол-во Регион Активный
BSC028N06NS PDF Infineon 2022+ 5000 China Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 2020+ 65000 China Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 2020+ 35000 Japan Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 2020+ 5000 U.S.A. Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 2022+ 5000 South Korea Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 2023+ 8912 China Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon - 15000 China Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 2023+ 1500 Japan Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 2023+ 1500 Japan Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 2022+ 10000 China Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 2017+ 297 Japan Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 2019+ 72591 China Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 1917+ 32333 Japan Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 2022+ 2670 Japan Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon - 5000 Hong Kong Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 2023+ 4606 China Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 2020+ 5000 South Korea Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 2024+ 10000 China Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 2023+ 5000 Taiwan Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 2022+ 50000 China Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 201137 30 Spain Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 201715+ 12772 China Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 2024+ 12000 China Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon - 8313 China Связаться с продавцом
BSC028N06NS PDF Infineon 2023+ 20000 China Связаться с продавцом

Вариации номера комплектующего

Реклама