Детали товара: IPB036N12N3 G - Discrete - MOSFET

Категория: Discrete
Подкатегория: Transistor > Thyristors > FET Transistors > MOSFET
Производитель: Infineon Technology (Siemans Div)
Описание: Trans MOSFET N-CH 120V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263

Infineon Technology (Siemans Div) IPB036N12N3 G на СКЛАДЕ

Наименование детали Производитель Дата выпуска Кол-во Регион Активный
IPB036N12N3G PDF Infineon 201028+ 15727 China Связаться с продавцом
IPB036N12N3-G PDF Infineon - 6656 China Связаться с продавцом
IPB036N12N3G PDF Infineon 2015+ 1360 China Связаться с продавцом
IPB036N12N3G PDF Infineon 2015+ 900 China Связаться с продавцом
IPB036N12N3G PDF Infineon - 1000 China Связаться с продавцом
IPB036N12N3G PDF Infineon - 1000 Hong Kong Связаться с продавцом
IPB036N12N3G PDF Infineon 2022+ 3000 China Связаться с продавцом
IPB036N12N3G PDF Infineon - 1059 Hong Kong Связаться с продавцом
IPB036N12N3G PDF Infineon - 8291 China Связаться с продавцом
IPB036N12N3G PDF Infineon 2023 5000 Japan Связаться с продавцом
IPB036N12N3G PDF Infineon 2024+ 7000 Singapore Связаться с продавцом
IPB036N12N3G PDF Infineon - 10000 Hong Kong Связаться с продавцом
IPB036N12N3G PDF Infineon 2024+ 9000 China Связаться с продавцом
IPB036N12N3G PDF Infineon - 1400 Japan Связаться с продавцом
IPB036N12N3G PDF Infineon 2021+ 22276 China Связаться с продавцом
IPB036N12N3GATMA1 PDF Infineon 2022+ 3000 China Связаться с продавцом
IPB036N12N3GATMA1 PDF Infineon 2018+ 60 China Связаться с продавцом
IPB036N12N3GATMA1 PDF Infineon - 800 United Kingdom Связаться с продавцом
IPB036N12N3GATMA1 PDF Infineon - 90000 Hong Kong Связаться с продавцом
IPB036N12N3GATMA1 PDF Infineon 2021+ 1000 Hong Kong Связаться с продавцом
IPB036N12N3GATMA1 PDF Infineon - 2020 Japan Связаться с продавцом
IPB036N12N3GATMA1 PDF Infineon 2024+ 12000 China Связаться с продавцом
IPB036N12N3GATMA1 PDF Infineon - 2020 Japan Связаться с продавцом
IPB036N12N3GMOS PDF Infineon 2015+ 15727 China Связаться с продавцом
Спецификация Смотреть или загрузить спецификацию для IPB036N12N3 G.
Реклама