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BSC028N06NS
产品信息: BSC028N06NS - Discrete - MOSFET
类别:
Discrete
附属类别:
Transistor > MOSFET
描述:
Discrete > Transistor > MOSFET.Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP
Infineon Technology (Siemans Div) BSC028N06NS 现货
型号 | 厂牌 | 批号 | 数量 | 地区 | 采购 | |
---|---|---|---|---|---|---|
BSC028N06NS | Infineon | 2022+ | 5000 | 中国 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 201214 | 83 | 美国 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 202224 | 3 | 美国 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 202248 | 3 | 美国 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 2020+ | 65000 | 中国 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | - | 5000 | 香港 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 2023+ | 1500 | 日本 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 2019+ | 72591 | 中国 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 202450 | 3 | 美国 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 2019+ | 10000 | 加拿大 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 2022+ | 5000 | 韩国 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 2023+ | 8912 | 中国 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | - | 15000 | 中国 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 2023+ | 1500 | 日本 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 201228 | 19 | 美国 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 2022+ | 10000 | 中国 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 201129 | 50 | 美国 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 202502 | 3 | 美国 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 202452 | 3 | 美国 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 2021+ | 5000 | 中国 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 202252 | 3 | 美国 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 2022+ | 2670 | 日本 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 2020+ | 35000 | 日本 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 2016+ | 15000 | 香港 | 要求报价 | |
BSC028N06NS | Infineon | 202209 | 3 | 美国 | 要求报价 |
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