Результаты поиска: HAT10 в Transistor
Запрос на ценовое предложение (RFQ)  »

Выбeрите позицию, чтобы получить ценовое предложение по номеру детaли HAT10 или используйте раздел «Варианты поиска по номеру детали» внизу этой страницы.
Если Вы еще не партнер The Broker Forum, получите свой бесплатный доступ для установления связи с HAT10 продавцами.

Результаты 51-75 для HAT10 (из 103)
Расширенный поиск  

Transistor

A transistor is a semiconductor device used to amplify and switch electronic signals and electrical power. It is composed of semiconductor material with at least three terminals for connection to an external circuit. A voltage or current applied to one pair of the transistor's terminals changes the current through another pair of terminals. Because the controlled (output) power can be higher than the controlling (input) power, a transistor can amplify a signal. Today, some transistors are packaged individually, but many more are found embedded in integrated circuits. The transistor is the fundamental building block of modern electronic devices, and is ubiquitous in modern electronic systems. Following its development in 1947 by American physicists John Bardeen, Walter Brattain, and William Shockley, the transistor revolutionized the field of electronics, and paved the way for smaller and cheaper radios, calculators, and computers, among other things. The transistor is on the list of IEEE milestones in electronics,[1] and the inventors were jointly awarded the 1956 Nobel Prize in Physics for their achievement.

Transistor > Thyristors > Rectifiers > Bridge Rectifier

Наименование детали DS Производитель Дата выпуска Кол-во Регион Активный
DF100AA160 PDF SANREX 2024+ 522 Hong Kong Связаться с продавцом
DF100AA160 PDF SANREX 201208+ 9000 Hong Kong Связаться с продавцом

Transistor > Thyristors > FET Transistors > MOSFET

Наименование детали DS Производитель Дата выпуска Кол-во Регион Активный
IPD100N04S4-02 PDF Infineon 201617+ 239 China Связаться с продавцом
IPD100N04S4-02 PDF Infineon - 1032 Germany Связаться с продавцом
IPD100N04S4-02 PDF Infineon 2021+ 2500 South Korea Связаться с продавцом
IPD100N04S4-02 PDF Infineon 2016+ 1142 Hong Kong Связаться с продавцом
IPD100N04S4-02 PDF Infineon 2022+ 5000 China Связаться с продавцом
IPD100N04S4-02 PDF Infineon - 6687 China Связаться с продавцом
IPD100N04S4-02 PDF Infineon 2021+ 2500 Singapore Связаться с продавцом
IPD100N04S4-02 PDF Infineon - 5000 China Связаться с продавцом
IPD100N04S4-02 PDF Infineon 2022+ 10000 China Связаться с продавцом
IPD100N04S4-02 PDF Infineon 2024+ 15000 China Связаться с продавцом
IPD100N04S4-02 PDF Infineon 2021+ 2500 U.S.A. Связаться с продавцом
IPD100N04S4-02 PDF Infineon - 10435 China Связаться с продавцом
IPD100N04S4-02 PDF Infineon 2022+ 16564 China Связаться с продавцом
IPD100N04S4-02 PDF Infineon - 2400 Hong Kong Связаться с продавцом
IPD100N04S4-02 PDF Infineon - 7816 China Связаться с продавцом
IPD100N04S4-02 PDF Infineon 2021+ 2500 China Связаться с продавцом
IPD100N04S4-02 PDF Infineon - 790 Germany Связаться с продавцом
IPD100N04S4-02 PDF Infineon 2021+ 49464 China Связаться с продавцом
IPD100N04S4-02 PDF Infineon 2023+ 17500 China Связаться с продавцом
IPD100N04S4-02 PDF Infineon 2019+ 796 Hong Kong Связаться с продавцом
IPD100N04S4-02 PDF Infineon - 5286 China Связаться с продавцом

Transistor > Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT

Наименование детали DS Производитель Дата выпуска Кол-во Регион Активный
NTE103 PDF NTE - 7 U.S.A. Связаться с продавцом
NTE103 PDF NTE - 2387 U.S.A. Связаться с продавцом
Реклама