Результаты поиска: NTD20 в MOSFET
Запрос на ценовое предложение (RFQ)  »

Выбeрите позицию, чтобы получить ценовое предложение по номеру детaли NTD20 или используйте раздел «Варианты поиска по номеру детали» внизу этой страницы.
Если Вы еще не партнер The Broker Forum, получите свой бесплатный доступ для установления связи с NTD20 продавцами.

MOSFET

The metal"oxide"semiconductor field-effect transistor (MOSFET,MOS-FET,or MOS FET) is a type of transistor used for amplifying or switching electronic signals. Although the MOSFET is a four-terminal device with source (S),gate (G),drain (D),and body (B) terminals,the body (or substrate) of the MOSFET is often connected to the source terminal, making it a three-terminal device like other field-effect transistors. Because these two terminals are normally connected to each other (short-circuited) internally, only three terminals appear in electrical diagrams. The MOSFET is by far the most common transistor in both digital and analog circuits, though the bipolar junction transistor was at one time much more common. The main advantage of a MOSFET transistor over a regular transistor is that it requires very little current to turn on (less than 1mA), while delivering a much higher current to a load (10 to 50A or more). However, the MOSFET requires a higher gate voltage (3-4V) to turn on. In enhancement mode MOSFETs, a voltage drop across the oxide induces a conducting channel between the source and drain contacts via the field effect. The term "enhancement mode" refers to the increase of conductivity with increase in oxide field that adds carriers to the channel, also referred to as the inversion layer. The channel can contain electrons (called an nMOSFET or nMOS), or holes (called a pMOSFET or pMOS), opposite in type to the substrate, so nMOS is made with a p-type substrate, and pMOS with an n-type substrate (see article on semiconductor devices). In the less common depletion mode MOSFET, detailed later on, the channel consists of carriers in a surface impurity layer of opposite type to the substrate, and conductivity is decreased by application of a field that depletes carriers from this surface layer. The "metal" in the name MOSFET is now often a misnomer because the previously metal gate material is now often a layer of polysilicon (polycrystalline silicon).

Transistor > MOSFET

Наименование детали	DS	Производитель	Дата выпуска	Кол-во	Регион	Активный
NTD20P06LT4G		ONSemi	2022	13000	Hong Kong	Связаться с продавцом
NTD20P06LT4G		ONSemi	201805	51	U.S.A.	Связаться с продавцом
NTD20P06LT4G		ONSemi	-	240000	Taiwan	Связаться с продавцом
NTD20P06LT4G		ONSemi	-	5100	South Korea	Связаться с продавцом
NTD20P06LT4G		ONSemi	-	190	Sweden	Связаться с продавцом
NTD20P06LT4G		ONSemi	2014+	2500	South Korea	Связаться с продавцом
NTD20P06LT4G		ONSemi	2023+	7500	China	Связаться с продавцом
NTD20P06LT4G		ONSemi	2021	2000	Hong Kong	Связаться с продавцом
NTD20P06LT4G		ONSemi	2020+	5000	China	Связаться с продавцом
NTD20P06LT4G		ONSemi	-	4	U.S.A.	Связаться с продавцом
NTD20P06LT4G		ONSemi	-	100	China	Связаться с продавцом
NTD20P06LT4G		ONSemi	-	1	U.S.A.	Связаться с продавцом
NTD20P06LT4G		ONSemi	1939	40	U.S.A.	Связаться с продавцом
NTD20P06LT4G		ONSemi	-	2500	Germany	Связаться с продавцом
NTD20P06LT4G		ONSemi	2020	2100	Japan	Связаться с продавцом
NTD20P06LT4G		ONSemi	-	42000	United Kingdom	Связаться с продавцом
SPP20N60C3		Infineon	201730+	2962	China	Связаться с продавцом
SPP20N60C3		Infineon	2017+	2875	China	Связаться с продавцом
SPP20N60C3		Infineon	2022+	1000	South Korea	Связаться с продавцом
SPP20N60C3		Infineon	200624	291	U.S.A.	Связаться с продавцом
SPP20N60C3		Infineon	2022+	300000	China	Связаться с продавцом
SPP20N60C3		Infineon	2024+	2989	China	Связаться с продавцом
SPP20N60C3		Infineon	2023+	9000	China	Связаться с продавцом
SPP20N60C3		Infineon	2018+	990	Austria	Связаться с продавцом
SPP20N60C3		Infineon	2021+	45000	Hong Kong	Связаться с продавцом

1 2 3 Следующая

Отправьте запрос на искомый компонент NTD20   »