Результаты поиска: ULN2003AD в Darlington BJT
Запрос на ценовое предложение (RFQ)  »

Выбeрите позицию, чтобы получить ценовое предложение по номеру детaли ULN2003AD или используйте раздел «Варианты поиска по номеру детали» внизу этой страницы.
Если Вы еще не партнер The Broker Forum, получите свой бесплатный доступ для установления связи с ULN2003AD продавцами.

Darlington BJT

In electronics, the Darlington transistor (often called a Darlington pair) is a compound structure consisting of two bipolar transistors (either integrated or separated devices) connected in such a way that the current amplified by the first transistor is amplified further by the second one.This configuration gives a much higher common/emitter current gain than each transistor taken separately and, in the case of integrated devices, can take less space than two individual transistors because they can use a shared collector. Integrated Darlington pairs come packaged singly in transistor-like packages or as an array of devices (usually eight) in an integrated circuit. The Darlington configuration was invented by Bell Laboratories engineer Sidney Darlington in 1953. He patented the idea of having two or three transistors on a single chip sharing a collector. A bipolar junction transistor (BJT or bipolar transistor) is a type of transistor that relies on the contact of two types of semiconductor for its operation. BJTs can be used as amplifiers, switches, or in oscillators. BJTs can be found either as individual discrete components, or in large numbers as parts of integrated circuits. Bipolar transistors are so named because their operation involves both electrons and holes. These two kinds of charge carriers are characteristic of the two kinds of doped semiconductor material; electrons are majority charge carriers in n-type semiconductors, whereas holes are majority charge carriers in p-type semiconductors. In contrast, unipolar transistors such as the field-effect transistors have only one kind of charge carrier.

Transistor > Darlington BJT

Наименование детали	DS	Производитель	Дата выпуска	Кол-во	Регион	Активный
ULN2003ADR		TI	2020+	18500	Hong Kong	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	2021+	40500	Hong Kong	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	202129+	10000	Hong Kong	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	2021+	3000	Hong Kong	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	-	20000	China	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	2023+	50000	China	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	1999	161	Canada	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	-	20000	Hong Kong	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	2021+	50000	Hong Kong	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	202520+	730000	Hong Kong	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	2025+	5000	China	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	2025+	5000	China	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	2021+	75000	Hong Kong	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	-	6085	China	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	-	17731	China	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	-	40001	China	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	2018+	5	Hong Kong	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	2009	2500	China	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	-	5000	China	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	-	24000	China	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	2018+	208334	China	Связаться с продавцом
ULN2003ADR		TI	200801	168	Spain	Связаться с продавцом

Предыдущая 1 2 3 4 5

Отправьте запрос на искомый компонент ULN2003AD   »