Результаты поиска: ULN2003A в Darlington BJT
Запрос на ценовое предложение (RFQ)  »

Выбeрите позицию, чтобы получить ценовое предложение по номеру детaли ULN2003A или используйте раздел «Варианты поиска по номеру детали» внизу этой страницы.
Если Вы еще не партнер The Broker Forum, получите свой бесплатный доступ для установления связи с ULN2003A продавцами.

Результаты 26-50 для ULN2003A (из 136)
Расширенный поиск  

Darlington BJT

In electronics, the Darlington transistor (often called a Darlington pair) is a compound structure consisting of two bipolar transistors (either integrated or separated devices) connected in such a way that the current amplified by the first transistor is amplified further by the second one.This configuration gives a much higher common/emitter current gain than each transistor taken separately and, in the case of integrated devices, can take less space than two individual transistors because they can use a shared collector. Integrated Darlington pairs come packaged singly in transistor-like packages or as an array of devices (usually eight) in an integrated circuit. The Darlington configuration was invented by Bell Laboratories engineer Sidney Darlington in 1953. He patented the idea of having two or three transistors on a single chip sharing a collector. A bipolar junction transistor (BJT or bipolar transistor) is a type of transistor that relies on the contact of two types of semiconductor for its operation. BJTs can be used as amplifiers, switches, or in oscillators. BJTs can be found either as individual discrete components, or in large numbers as parts of integrated circuits. Bipolar transistors are so named because their operation involves both electrons and holes. These two kinds of charge carriers are characteristic of the two kinds of doped semiconductor material; electrons are majority charge carriers in n-type semiconductors, whereas holes are majority charge carriers in p-type semiconductors. In contrast, unipolar transistors such as the field-effect transistors have only one kind of charge carrier.

Transistor > Darlington BJT

Наименование детали DS Производитель Дата выпуска Кол-во Регион Активный
ULN2003ADR PDF TI 2011 3645 China Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI 2010+ 132000 Japan Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI 202131+ 30000 China Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI - 1 China Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI 200801 168 Spain Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI - 13537 China Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI 2020+ 97 China Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI - 1608 France Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI 2017+ 2428 Japan Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI 2020+ 133180 Japan Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI 2024+ 1004500 Japan Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI 2024+ 2000 China Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI 2019+ 129 Hong Kong Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI - 813 U.S.A. Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI 2020+ 16000 China Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI 201514 564 India Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI 2021+ 300000 China Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI 2005+ 386 U.S.A. Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI - 6085 China Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI - 2500 China Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI 2023+ 10000 China Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI 2023+ 2500 China Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI 2019+ 60 Japan Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI 2023+ 5000 China Связаться с продавцом
ULN2003ADR PDF TI 2023+ 36000 China Связаться с продавцом
Реклама